ダイシングブレード

  • 電鋳ブレード
  • ビトリファイドブレード
  • メタルブレード
  • レジンブレード
  • ハブブレード

高精度電鋳ブレード / 多様なボンドラインナップ・多気孔質で高研削性を実現しました

超精密加工に必要な切断、
溝入れ加工用に開発した弊社独自の電鋳ブレードです。
用途に合わせた多種多様なブレードをラインナップしました。

用途 ・ガラエポ基盤 ・セラミックス基板 ・MLCC
   ・GMRヘッド ・SAWフィルター等
特徴 ・薄刃化 ・高剛性 ・耐摩耗性
開発 ・カスタムブレード ・特殊タイプ
価格 ・コスト低減

※写真と実際の色には差異がございます。

電鋳ブレード標準仕様

電鋳ブレード表示方法

例:20/30AA 56D / 0.1T / 40H / 1w / 2d / 16N
粒度 ボンド名 外形 厚さ 内径 S幅 S深さ S数
20/30 AA 56D 0.1T 40H 1w 2d 16N

標準粒径

粒径粒度
40/60#400
30/40#500
20/30#600
12/25#700
10/20#800
8/20#900
8/16#1000
6/12#1200
5/10#1500
4/8#2000
4/6#2500
3/5#3000
2/6#3500
2/4#4000

電鋳ブレードボンド種類

ボンド名硬度
AAHard

Soft
BC
CA
DA
DH
DM
SC特殊
Special

上記ボンド種類は代表的な種類を記載しております。
上記以外の硬さも対応いたしますので、お気軽にお問い合わせください。

電鋳ブレード製造可能サイズ、公差

項目製造可能範囲公差
外径φ140mm以下+0.02 -0
内径φ100mm以下H6
厚み 0.025〜0.3mm< 0.3mm±0.01
< 0.1mm±0.005
< 0.05mm ±0.002
スリット深さ本数
0.5mm 1mm 2mm 5mm1mm 2mm8N 16N 32N 64N

高精度ビトリファイドブレード / 有気孔タイプで、サファイア・難削材も高品位で加工が可能に

新しく生まれる多種多様な電子部品や被削材を精密、
且つ効率的に切断する必要性から創出したビトリファイドブレードです。

用途 ・サファイア ・アルミナ ・CSP基盤 ・ガラス等
特徴 ・高研削性(vs.電鋳) ・長寿命(vs.レジン) ・通電性
   ・難削材&複合材対応
開発 ・カスタムブレード
価格 ・コストパフォーマンス

※写真と実際の色には差異がございます。

ビトリファイドブレード標準仕様

ビトリファイドブレード表示方法

例:SD600J25N01 56D / 0.1T / 40H
砥粒 粒度 ボンド硬度 集中度 ボンド名 外形 厚さ 内径
SD 600 J 25 N01 56D 0.1T 40H

標準粒径

粒径粒度
#200
-#230
-#270
-#325
40/60#400
30/40#500
20/30#600
10/20#800
8/16#1000
6/12#1200
5/10#1500
4/8#2000
2/6#3000

VCブレードボンド種類

砥粒種ボンド硬度ボンド名集中度
SD
CBN
G~SN01~N1020~125

弊社独自技術により通電特性を有しております。硬さの範囲も非常に広く対応できますので、お気軽に弊社の担当にお声がけください。

VCブレード製造可能サイズ、公差

項目製造可能範囲公差
外径φ125mm以下±0.02
内径88.9H, 40H, 25.4HH7
厚み0.07~0.6mm±0.005

高精度メタルブレード / 用途に合わせた、多種多様なボンドラインナップ

各種被削材に合わせ開発した弊社独自のメタルボンドブレードです。

用途 ・CSP基盤 ・ガラス基板 ・MLCC ・GMRヘッド ・CMOS基盤等
特徴 ・薄刃化(45um以上) ・高剛性 ・耐摩耗性 ・高性能高品質力
開発 ・カスタムブレード ・特殊タイプ
価格 ・コスト低減取組中

※写真と実際の色には差異がございます。

メタルブレード標準仕様

メタルブレード表示方法

例:SD600-25MH
砥粒 粒度 集中度 ボンド名 外径 厚さ 内径
SD 600 25 MH 56D 0.15T 40H

標準粒径

粒径粒度
2/6#3000
4/8#2000
5/10#1500
6/12#1200
8/16#1000
10/20#800
12/25#700
20/30#600
30/40#500
40/60#400
-#325
-#270
-#230
-#200
-#170

メタルブレードボンド種類

砥粒種ボンドタイプ集中度
SD
CBN
MH15~125
MS
M43
M18
MQ

メタルレードのボンド種類も上記以外に多数ご用意しております。
また、お客さ物ご要望に合わせてのボンド設計も致しますので、詳しくは担当のサービスまでお問い合わせください。

メタルブレード製造可能サイズ、公差

項目製造可能範囲公差
外径φ110mm以下+0.02, -0
内径88.9H/55H/40H, 25.4HH6
厚み0.05~0.5mm±0.005

高精度レジンブレード / 充実したボンドランナップで、多種被削材に高性能な対応をいたします

各種被削材に合わせ開発した弊社独自のレジンボンドブレードです。

用途:・CSP基盤 ・ガラス基板 ・CMOS基盤 ・セラミックス等
特徴:・薄刃化(50um以上) ・チッピング低減 ・高研削性
開発:・カスタムブレード ・特殊タイプ
価格:・コスト低減&コスト低減取組中

※写真と実際の色には差異がございます。

レジンブレード標準仕様

レジンブレード表示方法

例:SD600-25-BA 56D / 0.1T / 40H
砥粒 粒度 集中度 ボンド名 外径 厚さ 内径
SD 600 25 BA 56D 0.1T 40H

標準粒径

粒径粒度
2/6#3000
4/8#2000
5/10#1500
6/12#1200
8/16#1000
10/20#800
12/25#700
20/30#600
30/40#500
40/60#400
-#325
-#270
-#230
-#200
-#170

レジンブレードボンド種類

砥粒種ボンドタイプ集中度
SD
SDC
CBN
BA15~125
BB
BQ
BS

レジンブレードのボンド種類も上記以外に多数ご用意しております。
また、お客さ物ご要望に合わせてのボンド設計も致しますので、詳しくは担当のサービスまでお問い合わせください。

レジンブレード製造可能サイズ、公差

項目製造可能範囲公差
外径φ125mm以下 ±0.02
内径88.9 H, 40H, 25.4HH7
厚み0.05~0.1mmOD φ50〜φ90+0.01, -0.005
0.11〜0.5mm±0.01
0.1〜0.5mmOD φ91~φ125±0.015

高精度ハブダイシングブレード

Siウエハ、化合物ウエハの加工に必要な切断、
溝入れ用に開発した弊社独自のハブブレードです。
用途に合わせた多種多様なブレードをラインナップしました。

用途 ・Si ・SiC ・化合物半導体等
特徴 ・薄刃化 ・裏面チッピング軽減
開発 ・特殊タイプ ・低集中度
価格 ・コスト低減

※写真と実際の色には差異がございます。

ハブダイシングブレード標準仕様

ハブダイシングブレード表示方法

例:0103-HH T15-E3-70
粒度 ボンド名 刃厚 刃先量 集中度
0103 HH T15 E3 70
粒度
00035000
01034800
02044000
02063500
03053000
04062000
04081700
ブレードの突き出し長[mm]
E30.380-0.510
E50.510-0.640
E60.640-0.760
E70.760-0.890
E90.890-1.020
E101.020-1.150
ブレード厚さ
[mm]
対応突出し量
T150.015E3
T200.020E3/E5/E6
T250.025E5/E6/E7
T300.030E5/E6/E7/E9
T350.035E5/E6/E7/E9/E10
T400.040E6/E7/E9/E10
T450.045E6/E7/E9/E10
T500.050E6/E7/E9/E10
T550.055E7/E9/E10
T600.060E7/E9/E10
ボンド仕様
HH硬い全ての粒度対応可
HS中間全ての粒度対応可
HL軟らかい0103対応不可
HX特殊全ての粒度対応可
低集中度
130-110High
110-90Middle High
90-70Middle
70-50Middle Low
50-30Low
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